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產(chǎn)品簡介
200導(dǎo)體材料四端測量高溫電阻率測試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù).
產(chǎn)品分類
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| 品牌 | 其他品牌 | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
|---|---|---|---|
| 類型 | 數(shù)字式電阻測試儀 | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 環(huán)保,化工,地礦,電子/電池,綜合 |
關(guān)鍵詞：200導(dǎo)體材料四端測量高溫電阻率測試儀
電阻率試驗(yàn)儀 熱阻測試儀 導(dǎo)體電阻率的測量 體積電阻率測試儀 導(dǎo)體電阻測量 測量導(dǎo)體電阻
產(chǎn)品用途：
200導(dǎo)體材料四端測量高溫電阻率測試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù).
雙電測四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測量。設(shè)計(jì)參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
儀器特點(diǎn)：
采用四探針雙電組合測量方法測試方阻和電阻率系統(tǒng)與高溫箱結(jié)合配置高溫四探針測試探針治具與PC軟件對數(shù)據(jù)的處理和測量控制，解決半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)率對溫度變化測量要求，軟件實(shí)時(shí)繪制出溫度與電阻，電阻率，電導(dǎo)率數(shù)據(jù)的變化曲線圖譜，及過程數(shù)據(jù)值的報(bào)表分析.
技術(shù)參數(shù)：
1.方塊電阻范圍 | 10^-4～1×10^7Ω/□ |
2.電阻率范圍 | 10^-5～2×10^8Ω-cm |
3.測試電流范圍 | 10mA ---200pA |
4.電流精度 | ±2% |
5.電阻精度 | ≤10% |
PC軟件界面 | 顯示：電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率 |
7.測試方式 | 雙電測量 |
8.四探針儀工作電源 | AC 220V±10%.50Hz <30W |
9.誤差 | ≤15% |
10.溫度(選購) | 常溫--200℃;400℃；600℃；800℃；1000℃；1200℃；1400℃；1600℃ |
11.氣氛保護(hù)（氣體客戶自備） | 常用氣體如下：氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)、氡(Rn)，均為無色、無臭、氣態(tài)的單原子分子 |
12.溫度精度 | 沖溫值：≤1-3℃；控溫精度：±1°C |
13.升溫速度： | 常溫開始400℃--800℃需要15分鐘；800℃-1200℃需要30分鐘；1400℃-1600℃需要250分鐘—300分鐘 |
14.高溫材料 | 采用復(fù)合陶瓷纖維材料，具有真空成型，高溫不掉粉的特征 |
15.PC軟件
| 測試PC軟件一套，USB通訊接口，軟件界面同步顯示、分析、保存和打印數(shù)據(jù)！ |
16.電極（探針）材料標(biāo)配 | 鎢電極或鉬電極+電極（探針）陶瓷管 +高溫陶瓷樣品臺(tái)，1套. |
17.探針間距 | 直線型探針，探針間距：4mm； |
18.樣品要求 | 樣品長度要求≥13mm 樣品寬≥2mm或直徑≥13mm |
19.高溫電源：
| 供電：400-1200℃ 電源220V，功率2-4KW；380V;1400℃-1600℃電源380V；功率4-6KW： |
20.標(biāo)配外（選購）： | a電腦和打印機(jī)1套；b.標(biāo)準(zhǔn)電阻1-5個(gè)； c.S型鉑銠探針電極（溫度范圍：200-1300度）； d.B型鉑銠探針電極（溫度范圍：1400-1600度） |
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